苏州硅能半导体科技股份有限公司是一家由市场营销专家、海归精英及上市公司共同出资创办，并有政府投资基金加盟的高科技公司。致力于建设世界的容设计、生产和销售为一体、拥有自主知识产权的民族品牌功率半导体器件公司,并力争3到5年内在国内主板市场上市（IPO）。硅能产品包括MOS器件、肖特基晶体管、射频功率晶体管，IGBT和功率集成电路。苏州硅能半导体科技股份有限公司凭着良好的信用、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。苏州硅能半导体科技股份有限公司热诚欢迎各界朋友前来参观、考察、洽谈业务。
相关产品
苏州硅能半导体科技股份有限公司发布的产品供应信息
场效应管SSF4703DC 手机充电MOS价格：360.00元/K 品牌:Silikron 型号:SSF4703DC 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01- 场效应管SSF3324 替代AO3400价格：240.00元/K 品牌:Silikron 型号:SSF3324 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- SSF6670 Silikron价格：面议 品牌:Silikron 型号:SSF6670 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- SSF6808 Silikron价格：面议 品牌:Silikron 型号:SSF6808 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- 场效应管SSF3341 替代AO3401价格：240.00元/K 品牌:Silikron 型号:SSF3341 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- 场效应管SSF5508 替代IRF3205价格：面议 品牌:硅能半导体 型号:SSF5508 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- 场效应管SSF3615 替代AO4407价格：面议 品牌:Silikron 型号:SSF3615 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- SSF1010 替代IRF4410价格：面议 品牌:Silikron 型号:SSF1010 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- SSF6014D Silikron价格：面议 品牌:Silikron 型号:SSF6014D 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- SSF3324 Silikron价格：面议 品牌:Silikron 型号:SSF3324 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- 场效应管SSFT4003 替代IRF1404价格：面议 品牌:硅能半导体 型号:SSFT4003 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- 场效应管SSF3117 手机充电MOS价格：360.00元/K 品牌:Silikron 型号:SSF3117 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
- SSF1020D 替代AOD464价格：面议 品牌:Silikron 型号:SSF1020D 种类:绝缘栅(MOSFET) / 2010-01-01
联系方式
- 公司地址：
- 苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室、NW20幢503室、NW13幢202室
- 固定电话：
- (0512)86 0755 83040898 未核实，仅供参考
- 经理：
- 李恺
- 经理手机：
- 13823565130 未核实，仅供参考，删除号码
- 电子邮件：
- hr@silikron.com
- 邮政编码：
- 215021
- 地区编码：
- 320000
- 传真号码：
- 86 512 65160705
- 顺企采购：
- 请卖家联系我
其他联系方式
| 座机号码 | 0512-62560688 |
| 电子邮箱 | wujf@silikron.com |
| 手机号码 | 139****8684 |
| 电子邮箱 | dail@silikron.com |
| 手机号码 | 137****3706 |
工商信息和基本资料
| 法人名称： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 简称： | 硅能半导体 |
| 主要经营产品： | 功率MOS管 ; 肖特基二极管 ; IGBT ; TVS |
| 经营范围： | 集成电路、功率半导体芯片和器件、机电产品的工艺开发、设计、生产、销售及上述产品的进出口业务；相关工艺软件的引进、开发、销售及相关技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） |
| 营业执照号码： | 91320000668988936R |
| 发证机关： | 江苏省市场监督管理局 |
| 核准日期： | 2016-07-20 |
| 经营状态： | 存续 |
| 成立时间： | 2007年11月12日 |
| 职员人数： | 100人 |
| 注册资本： | 人民币3850万 (万元) |
| 公司官网： | http://www.silikron. |
| 所属分类： | 肖特基二极管公司 |
| 所属城市： | 苏州企业网 |
| 类型： | 股份有限公司(非上市、自然人投资或控股) |
| 顺企编码： | 11841238 |
苏州硅能半导体科技股份有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 苏州通博电子器材有限公司 | 47.139146067416% | 人民币2097.692万元 |
| 苏州固锝电子股份有限公司 | 25.955056179775% | 人民币1155万元 |
| 中新苏州工业园区创业投资有限公司 | 7.2757078651685% | 人民币323.769万元 |
| 苏州国发创新资本投资有限公司 | 4.2251685393258% | 人民币188.02万元 |
| 苏州锦华赢富创业投资中心（有限合伙） | 3.983595505618% | 人民币177.27万元 |
| 苏州工业园区创业投资引导基金管理中心 | 2.1822921348315% | 人民币97.112万元 |
| 上海锐合创业投资中心（有限合伙） | 2.02% | 人民币89.89万元 |
| 戴莉 | 1.4482471910112% | 人民币64.447万元 |
| 徐吉程 | 1.123595505618% | 人民币50万元 |
| 钱叶华 | 1.123595505618% | 人民币50万元 |
| 戴娟 | 0.67415730337079% | 人民币30万元 |
| 刘丰林 | 0.44943820224719% | 人民币20万元 |
| 张洪 | 0.44943820224719% | 人民币20万元 |
| 毛振东 | 0.44943820224719% | 人民币20万元 |
| 薛璐 | 0.44943820224719% | 人民币20万元 |
| 王敏轩 | 0.44943820224719% | 人民币20万元 |
| 谷昊 | 0.26966292134831% | 人民币12万元 |
| 张洁云 | 0.19775280898876% | 人民币8.8万元 |
| 王文生 | 0.13483146067416% | 人民币6万元 |
苏州硅能半导体科技股份有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 地址变更 | 中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区01幢506室、西北区13幢202室 | 苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室、NW20幢503室、NW13幢202室 | 2021-02-10 |
| 投资总额变更 | 4450（ - 10.10101% ） | 4950 | 2016-07-20 |
| 注册资本变更 | 4450（ - 10.10101% ） | 4950 | 2016-07-20 |
| 注册资本变更 | 4450 | 4950 | 2016-07-20 |
| 负责人变更 | 杨小平 | 周名辉 | 2016-06-21 |
| 法定代表人变更 | 杨小平 | 周名辉 | 2016-06-21 |
| 企业住所变更 | 苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室、NW20幢503室、NW13幢202室 | 苏州工业园区星龙街428号苏春工业坊11A单元 | 2016-06-21 |
| 经营范围 | 集成电路、功率半导体芯片和器件、机电产品的工艺开发、设计、生产、销售及上述产品的进出口业务；相关工艺软件的引进、开发、销售及相关技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） | 集成电路、功率半导体芯片和器件的工艺开发、设计、生产、销售及上述产品的进出口业务；相关工艺软件的引进、开发、销售及相关技术的进出口业务。*（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） | 2016-06-21 |
苏州硅能半导体科技股份有限公司的领导人员
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 边洪爱 | 董事 |
| 杨小平 | 董事长 |
| 滕有西 | 董事 |
| 徐吉程 | 董事 |
| 吴炆皜 | 董事 |
| 吴念博 | 监事主席 |
| 唐再南 | 监事 |
| 金采妍 | 职工监事 |
| 胡晓刚 | 总经理 |
苏州硅能半导体科技股份有限公司的注册商标
| 图片 | 注册号 | 商标名 | 分类 | 分类ID | 状态 | 日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 6983696 | SILIKRON | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2008-10-06 |
 | 6983695 | SILIKRON | 设计研究 | 42 | 商标已注册 | 2008-10-06 |
 | 6983697 | SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2008-10-06 |
 | 6455025 | 硅能 | 设计研究 | 42 | 商标无效 | 2007-12-24 |
 | 6454788 | 硅能;SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
 | 6455021 | 硅能;SILIKRON | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
 | 6455019 | SILIKRON | 设计研究 | 42 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
 | 6455018 | SILIKRON | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
 | 6455024 | 硅能 | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
 | 6455020 | SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
 | 6455023 | 硅能;SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
 | 6455026 | 硅能 | 科学仪器 | 9 | 商标无效 | 2007-12-24 |
 | 6455017 | 硅能 | 科学仪器 | 9 | 商标无效 | 2007-12-24 |
 | 6455022 | 硅能;SILIKRON | 设计研究 | 42 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6983696 | SILIKRON | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2008-10-06 |
| 6983695 | SILIKRON | 设计研究 | 42 | 商标已注册 | 2008-10-06 |
| 6983697 | SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2008-10-06 |
| 6455025 | 硅能 | 设计研究 | 42 | 商标无效 | 2007-12-24 |
| 6454788 | 硅能;SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6455021 | 硅能;SILIKRON | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6455019 | SILIKRON | 设计研究 | 42 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6455026 | 硅能 | 科学仪器 | 9 | 商标无效 | 2007-12-24 |
| 6455017 | 硅能 | 科学仪器 | 9 | 商标无效 | 2007-12-24 |
| 6455018 | SILIKRON | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6455023 | 硅能;SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6455022 | 硅能;SILIKRON | 设计研究 | 42 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6455024 | 硅能 | 广告销售 | 35 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
| 6455020 | SILIKRON | 科学仪器 | 9 | 商标已注册 | 2007-12-24 |
苏州硅能半导体科技股份有限公司的专利证书
| CN101853852A | 发明公布 | 2010-10-06 | 单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件及制造方法 | 基本电气元件 | 刘伟;王凡;程义川 |
| CN104134702A | 发明公布 | 2014-11-05 | 增强型沟槽式肖特基二极管整流器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 徐吉程;毛振东;薛璐 |
| CN201181707Y | 实用新型 | 2009-01-14 | 改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光 |
| CN201153122Y | 实用新型 | 2008-11-19 | 一种半导体整流器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;周名辉;钱叶华 |
| CN201146192Y | 实用新型 | 2008-11-05 | 一种深沟槽大功率P型MOS器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光 |
| CN201185190Y | 实用新型 | 2009-01-21 | 提高半导体功率器件静电保护性能的结终端保护结构 | 基本电气元件 | 朱袁正;钱叶华;毛振东 |
| CN101789400A | 发明公布 | 2010-07-28 | 一种半导体整流器件的制造方法及所得器件 | 基本电气元件 | 毛振东;周名辉 |
| CN100565879C | 发明授权 | 2009-12-02 | 一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光 |
| CN104078517A | 发明公布 | 2014-10-01 | 沟槽式肖特基半导体器件 | 基本电气元件 | 徐吉程;毛振东;薛璐 |
| CN100589246C | 发明授权 | 2010-02-10 | 带有多晶硅场板的功率MOS场效应管及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正 |
| CN100555666C | 发明授权 | 2009-10-28 | 一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光 |
| CN101901808B | 发明授权 | 2011-11-09 | 一种沟槽式肖特基势垒二极管整流器件及制造方法 | 基本电气元件 | 刘伟;王凡;程义川 |
| CN102593175B | 发明授权 | 2014-05-14 | 栅总线加强的沟槽MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 刘伟;王凡 |
| CN101853852B | 发明授权 | 2011-08-17 | 单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件及制造方法 | 基本电气元件 | 刘伟;王凡;程义川 |
| CN201146191Y | 实用新型 | 2008-11-05 | 一种深沟槽大功率N型MOS器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光 |
| CN201725795U | 实用新型 | 2011-01-26 | 三层光罩沟槽MOS器件 | 基本电气元件 | 刘伟;王凡;程义川 |
| CN203983297U | 实用新型 | 2014-12-03 | 增强型沟槽式整流器件 | 基本电气元件 | 徐吉程;毛振东;薛璐 |
| CN104078517B | 发明授权 | 2017-05-10 | 沟槽式肖特基半导体器件 | 基本电气元件 | 徐吉程;毛振东;薛璐 |
| CN101217144A | 发明公布 | 2008-07-09 | 一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光 |
| CN101226883A | 发明公布 | 2008-07-23 | 一种半导体整流器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;周名辉;钱叶华 |
苏州硅能半导体科技股份有限公司的法律诉讼：
| 文书名称 | 日期 | 编号 |
| 苏州硅能半导体科技股份有限公司执行案裁定书 | 2014-09-26 | （2014）深宝法龙执字第83号 |
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初心 在2022-01-17 11:10:27.000 说： ：N-MOS SSF6808D3X 60V/±20V 5.7mR TO-252 silkron ROHS 询料 深圳市吉美智科技有限公司
陈小姐 在2015-06-12 10:17:09.000 说： ：请问有可以做到70V以上 60A 内阻低于8.5mR 封装TO-252的MOS管型号么？
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