张家港意发功率半导体有限公司

公司简介


张家港意发功率半导体有限公司是大功率器件、电源管理芯片等产品专业设计、生产加工、销售为一体的公司,拥有完整、科学的质量管理体系。张家港意发功率半导体有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈。

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联系方式

公司地址:
张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
固定电话:
0512-56868001 未核实,仅供参考
销售部经理:
高万喜
经理手机:
15051711638 未核实,仅供参考,删除号码
电子邮件:
lucy@ever-power
邮政编码:
215000
地区编码:
320582
顺企®采购:
请卖家联系我

其他联系方式

电子邮箱glp2099@163.com
电子邮箱195535148@.com
座机号码0512-56868003
座机号码051256868001
座机号码0512-56868001
电子邮箱chenyy@ever-power.cn
手机号码137****8535
电子邮箱lucy@ever-power
座机号码0512-56868020

工商信息和基本资料

法人名称:张家港意发功率半导体有限公司
简称:张家港意发功率半导体
主要经营产品:FRD快恢复二极管; SRD超快恢复二极管; 功率MOSFET管; IGBT器件; IGBT模块
经营范围:功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让及生产,销售自产产品;从事同类产品的批发和进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
营业执照号码:91320582570305711H
发证机关:张家港市行政审批局
核准日期:2016-06-06
经营期限:10年
经营状态:存续
成立时间:2011年03月03日
职员人数:11人
注册资本:1000万元人民币 (万元)
所属分类:开关二极管公司
所属城市:苏州企业网 太仓市 太仓市经济开发区
类型:有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)
顺企编码:19926040

张家港意发功率半导体有限公司的股东

股东名字出资比例出资额
德兴市意发功率半导体有限公司100%人民币3000万元

张家港意发功率半导体有限公司的工商变更记录

变更项目变更后变更前时间
法定代表人变更ZHOU BING周炳2020-05-02
负责人变更ZHOU BING周炳2020-05-02
注册资本变更3000( + 150% )12002020-05-02
注册资本变更1200( + 20% )10002019-12-20
投资人变更德兴市意发功率半导体有限公司 [新增]周炳 [退出] 宁波意发微企业管理合伙企业(有限合伙) [退出]2019-09-30
市场主体类型变更有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)有限责任公司(中外合资)2019-09-30
投资人变更周炳 宁波意发微企业管理合伙企业(有限合伙) [新增]周炳2019-04-08
市场主体类型变更有限责任公司(中外合资)有限责任公司(外国自然人独资)2019-04-08
投资人变更周炳 [新增]张家港市骏马房地产开发有限公司,周炳,Joyce Jiuying Qian [退出]2018-09-26
市场主体类型变更有限责任公司(外国自然人独资)有限责任公司(中外合资)2018-09-26

张家港意发功率半导体有限公司的领导人员

名字职务
杨聪董事长
周炳董事兼总经理
刘晓萌董事
侯志荣董事
闵海军监事
LI XIN董事

张家港意发功率半导体有限公司的注册商标

图片注册号商标名分类分类ID状态日期
10469184EVER POWER SEMICONDUCTOR科学仪器9商标已注册2012-02-08
10469268EVER POWER SEMICONDUCTOR设计研究42商标已注册2012-02-08
10469231EVER POWER SEMICONDUCTOR广告销售35商标已注册2012-02-08
10469231EVER POWER SEMICONDUCTOR广告销售35商标已注册2012-02-08
10469184EVER POWER SEMICONDUCTOR科学仪器9商标已注册2012-02-08
10469268EVER POWER SEMICONDUCTOR设计研究42商标已注册2012-02-08
10469184EVER POWER SEMICONDUCTOR科学仪器9商标已注册2012-02-08
10469268EVER POWER SEMICONDUCTOR设计研究42商标已注册2012-02-08
10469231EVER POWER SEMICONDUCTOR广告销售35商标已注册2012-02-08

张家港意发功率半导体有限公司的专利证书

CN205248281U实用新型2016-05-18一种沟槽型FRD芯片基本电气元件周炳;石英学;张志娟;郝建勇
CN105206674A发明公布2015-12-30一种超结终端的VDMOS结构基本电气元件周炳;石英学;张志娟;郝建勇
CN202054885U实用新型2011-11-30真空高温快速加热装置刘晓萌
CN106601827A发明公布2017-04-26一种快速恢复二极管及其制备方法基本电气元件宣传进;郝建勇;周炳
CN205177848U实用新型2016-04-20一种具有特殊耐压环的高压功率器件基本电气元件周炳;石英学;郝建勇;张志娟
CN106206678A发明公布2016-12-07一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法基本电气元件宣传进;郝建勇;周炳
CN102154619A发明公布2011-08-17真空高温快速加热装置刘晓萌
CN102184971A发明公布2011-09-14沟槽型碳化硅肖特基功率器件基本电气元件周炳
CN102543724A发明公布2012-07-04低温制造齐纳二极管工艺基本电气元件何志;周炳;季安;刘晓萌
CN204614787U实用新型2015-09-02功率IC器件基本电气元件郝建勇;张志娟;周炳
CN105990407A发明公布2016-10-05IGBT元胞结构及其制造工艺基本电气元件张志娟;郝建勇;周炳
CN106356398A发明公布2017-01-25一种具有特殊耐压环的高压功率器件基本电气元件周炳;石英学;郝建勇;张志娟
CN102154619B发明授权2013-03-13真空高温快速加热装置刘晓萌
CN102543757A发明公布2012-07-04提高沟渠型场效应管性能的低温工艺基本电气元件何志;周炳;季安;刘晓萌
CN204882835U实用新型2015-12-16电源短路试验装置测量;测试周炳;郝建勇
CN105514149A发明公布2016-04-20一种沟槽型FRD芯片及制备方法基本电气元件周炳;石英学;张志娟;郝建勇
CN204857734U实用新型2015-12-09一种超结终端的VDMOS结构基本电气元件周炳;石英学;张志娟;郝建勇
CN102543724B发明授权2015-07-15低温制造齐纳二极管工艺基本电气元件何志;周炳;季安;刘晓萌
CN105990404A发明公布2016-10-05防漏电的功率器件及其制造方法基本电气元件郝建勇;张志娟;周炳
CN102543757B发明授权2015-07-22提高沟渠型场效应管性能的低温工艺基本电气元件何志;周炳;季安;刘晓萌
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