张家港凯思半导体有限公司是MOS管、场效应管、半导体、肖特基、MOSFET、mosfet、mosfet管等产品专业生产加工的公司，拥有完整、科学的质量管理体系。张家港凯思半导体有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈。
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联系方式
- 公司地址：
- 凤凰镇双龙村 -
- 固定电话：
- 0512-80156532 未核实，仅供参考
- 经理：
- 王先生
- 经理手机：
- 15150236686 未核实，仅供参考，删除号码
- 电子邮件：
- 504782612@qq.com
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- 邮政编码：
- 215000
- 地区编码：
- 320582
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工商信息和基本资料
| 法人名称： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 简称： | 张家港凯思半导体 |
| 主要经营产品： | MOS管; 场效应管; 半导体; 肖特基; MOSFET; mosfet; mosfet管 |
| 经营范围： | 半导体、集成电路及电子产品的技术开发、技术转让、技术咨询及相关的技术服务；半导体、集成电路、电子产品购销；信息咨询服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） |
| 营业执照号码： | 91320582586652734W |
| 发证机关： | 张家港市行政审批局 |
| 核准日期： | 2015-12-29 |
| 经营期限： | 10年 |
| 经营状态： | 存续 |
| 经营模式： | 生产加工 |
| 成立时间： | 2011年12月06日 |
| 职员人数： | 51人 |
| 注册资本： | 1000万元人民币 (万元) |
| 所属分类： | 三极管公司 |
| 所属城市： | 苏州企业网 张家港市 张家港市凤凰镇 |
| 类型： | 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) |
| 顺企编码： | 21455310 |
张家港凯思半导体有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 江苏协昌电子科技股份有限公司 | 100% | 人民币1000万元 |
张家港凯思半导体有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 企业住所变更 | 张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号 | 凤凰镇双龙村 | 2018-01-25 |
| 投资人变更 | 江苏协昌电子科技股份有限公司 [新增] | 江苏协昌电子科技有限公司 [退出] | 2017-04-15 |
| 股东名称变更 | 江苏协昌电子科技股份有限公司 [新增] | 江苏协昌电子科技有限公司 [退出] | 2017-04-15 |
| 企业类型变更 | 有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资） | 有限公司（自然人控股） | 2014-05-30 |
| 股东变更 | 江苏协昌电子科技有限公司 [新增] | 靳松 [退出] 蔡云波 [退出] 黄继颇 [退出] | 2014-05-30 |
| 股东变更 | 江苏协昌电子科技有限公司 | 靳松,蔡云波,黄继颇 | 2014-05-30 |
张家港凯思半导体有限公司的领导人员
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 靳松 | 监事 |
| 蔡云波 | 执行董事 |
| 蔡云波 | 总经理 |
张家港凯思半导体有限公司的注册商标
| 图片 | 注册号 | 商标名 | 分类 | 分类ID | 状态 | 日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 11342300 | 凯思 | 科学仪器 | 9 | 商标注册申请注册公告排版完成 | 2012-08-13 |
 | 4974227 | CASS | 科学仪器 | 9 | 商标转让完成 | 2005-10-31 |
| 11342300 | 凯思 | 科学仪器 | 9 | 商标注册申请注册公告排版完成 | 2012-08-13 |
| 4974227 | CASS | 科学仪器 | 9 | 商标转让完成 | 2005-10-31 |
张家港凯思半导体有限公司的专利证书
| CN204230248U | 实用新型 | 2015-03-25 | 一种沟槽功率MOSFET器件及其静电保护结构 | 基本电气元件 | 丁磊;殷允超 |
| CN105252712A | 发明公布 | 2016-01-20 | 一种直插式分立器件和制作方法以及成型模具 | 许洪建;丁磊 | |
| CN103779415A | 发明公布 | 2014-05-07 | 平面型功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN103337523A | 发明公布 | 2013-10-02 | 一种斜沟槽超势垒整流器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN203721734U | 实用新型 | 2014-07-16 | 一种低VF的功率MOSFET器件 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN103151380A | 发明公布 | 2013-06-12 | 一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 | 基本电气元件 | 丁磊;侯宏伟 |
| CN104409359A | 发明公布 | 2015-03-11 | 一种沟槽型半导体功率器件的制造方法 | 基本电气元件 | 侯宏伟;丁磊 |
| CN203312301U | 实用新型 | 2013-11-27 | 一种MOS超势垒整流器件 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN203312299U | 实用新型 | 2013-11-27 | 一种超势垒整流器件 | 基本电气元件 | 丁磊;殷允超 |
| CN105895671A | 发明公布 | 2016-08-24 | 超低功耗半导体功率器件及制备方法 | 基本电气元件 | 侯宏伟;丁磊 |
| CN104465628A | 发明公布 | 2015-03-25 | 一种沟槽功率MOSFET器件及其制作方法和静电保护结构 | 基本电气元件 | 丁磊;殷允超 |
| CN203721733U | 实用新型 | 2014-07-16 | 平面型功率MOS器件 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN203300654U | 实用新型 | 2013-11-20 | 斜沟槽肖特基势垒整流器件 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN203339171U | 实用新型 | 2013-12-11 | 一种斜沟槽超势垒整流器件 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN205075285U | 实用新型 | 2016-03-09 | 一种直插式分立器件以及成型模具 | 许洪建;丁磊 | |
| CN103779416B | 发明授权 | 2016-06-29 | 一种低VF的功率MOSFET器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
| CN104377245A | 发明公布 | 2015-02-25 | 一种沟槽型MOS器件及其制造方法和终端保护结构 | 基本电气元件 | 丁磊;殷允超 |
| CN103325846A | 发明公布 | 2013-09-25 | 斜沟槽肖特基势垒整流器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 殷允超;丁磊 |
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| CN105914230A | 发明公布 | 2016-08-31 | 一种超低功耗半导体功率器件及制备方法 | 基本电气元件 | 侯宏伟;丁磊 |
张家港凯思半导体有限公司的分公司
| 分公司名称 | 地址 | 成立时间 |
|---|---|---|
| 张家港凯思半导体有限公司深圳分公司 | 深圳市南山区桃源街道龙珠三路光前工业区15栋2楼212室 | 2016-09-06 00:00:00.000 |