苏州纳睿光电有限公司成立于2011年,由苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州工业园区原点创业投资有限公司和苏州工业园区启纳创业投资有限公司共同投资创办。公司致力于氮化镓基蓝光、紫光和绿光激光器的生产、研发和销售。公司面向激光显示、印刷制版、特种照明、精密仪器等领域的商业用户提供高功率、高可靠性的氮化镓激光器;面向激光指示、环境照明、仪表工具等领域消费者用户提供各种功率等级和波长范围的氮化镓激光器。
公司已建设了完整的激光器生产线,具备了从外延生长到芯片制造的规模化生产能力。现有AIXTRON MOCVD两台,以及原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪等材料检测设备;以及先进的光刻机、刻蚀机、磁控溅射机、光学镀膜机、合金炉、PECVD、扫描电子显微镜、解理机、划片裂片机等半导体芯片制造设备。
公司运营和技术团队由5名博士和两名留学归国人员组成,掌握了氮化镓基激光器的核心技术,在氮化镓基激光器的结构设计、外延生长、芯片工艺和封装测试等领域拥有多项国家发明专利,是国内唯一的氮化镓基激光器供应商。
联系方式
- 公司地址:
- 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
- 固定电话:
- (0512) 未核实,仅供参考
- 总经理:
- 张立群
- 电子邮件:
- smzhang2010@sinano.ac.cn
- 邮政编码:
- 215000
- 地区编码:
- 320594
- 传真号码:
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其他联系方式
相关产品
工商信息和基本资料
法人名称: | 苏州纳睿光电有限公司 |
简称: | 纳睿光电 |
主要经营产品: | 蓝光激光器; 激光模组; 激光充电宝; 激光笔; 一字线、十字架; 蓝光激光手电; 蓝光舞台灯 |
经营范围: | 半导体光电器件的技术研发;半导体光电器件、应用系统产品的销售及相关技术服务咨询;从事上述商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) |
营业执照号码: | 91320594586694942W |
发证机关: | 苏州工业园区行政审批局 |
核准日期: | 2016-01-28 |
经营期限: | 10年 |
经营状态: | 存续 |
经营模式: | 生产加工 |
成立时间: | 2011年12月12日 |
职员人数: | 51人 |
注册资本: | 151.9584万元人民币 (万元) |
所属分类: | 光电子器件公司 |
所属城市: | 苏州企业网 |
顺企编码: | 21170731 |
苏州纳睿光电有限公司的股东
股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
---|---|---|
王辉 | 29.61% | 人民币45.0万元 |
张书明 | 29.61% | 人民币45.0万元 |
杭州中科极光科技有限公司 | 19.19% | 人民币29.1667万元 |
苏州纳方科技发展有限公司 | 15% | 人民币22.7917万元 |
刘建平 | 6.58% | 人民币10.0万元 |
苏州纳睿光电有限公司的工商变更记录
变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
---|---|---|---|
期限变更 | 2031-12-11 | 2021-12-11 | 2021-12-01 |
股东变更 | 张书明 刘建平 王辉 苏州纳方科技发展有限公司 杭州中科极光科技有限公司 [新增] | 张书明 刘建平 王辉 苏州工业园区原点创业投资有限公司 [退出] 苏州工业园区创业投资引导基金管理中心 [退出] 苏州工业园区启纳创业投资有限公司 [退出] 苏州纳方科技发展有限公司 | 2017-12-14 |
经营范围 | 半导体光电器件的技术研发;半导体光电器件、应用系统产品的销售及相关技术服务咨询;从事上述商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) | 半导体光电器件的技术研发;半导体光电器件、应用系统产品的销售及相关技术服务咨询。 | 2016-01-22 |
苏州纳睿光电有限公司的领导人员
名字 | 职务 |
---|---|
李梦影 | 董事 |
张希军 | 董事 |
杜民 | 董事 |
张立群 | 董事兼总经理 |
王辉 | 监事 |
张书明 | 董事长 |
苏州纳睿光电有限公司的专利证书
CN102545058A | 发明公布 | 2012-07-04 | 一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法 | 基本电气元件 | 李增成;刘建平;张书明;王辉;杨辉 |
CN104426050A | 发明公布 | 2015-03-18 | 半导体激光二极管及其封装方法 | 基本电气元件 | 周坤;李德尧;张书明;刘建平;张立群;冯美鑫;李增成;王怀兵;杨辉 |
CN102299482B | 发明授权 | 2013-06-19 | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 | 基本电气元件 | 曾畅;张书明;刘建平;王辉;冯美鑫;李增成;王怀兵;杨辉 |
CN102545051A | 发明公布 | 2012-07-04 | 一种氮化镓基激光器管芯的制备方法 | 基本电气元件 | 张书明;王辉;刘建平;王怀兵;杨辉 |
CN102570308A | 发明公布 | 2012-07-11 | 一种氮化物半导体激光器 | 基本电气元件 | 冯美鑫;张书明;刘建平;李增成;杨辉 |
CN105807197A | 发明公布 | 2016-07-27 | 一种半导体激光器退化机制的检测方法 | 测量;测试 | 温鹏雁;李德尧;张书明;刘建平;张立群;杨辉 |
CN102545041A | 发明公布 | 2012-07-04 | 半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法 | 基本电气元件 | 冯美鑫;张书明;刘建平;王辉;曾畅;杨辉 |
CN102545058B | 发明授权 | 2013-10-09 | 一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法 | 基本电气元件 | 李增成;刘建平;张书明;王辉;杨辉 |
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