无锡新洁能功率半导体有限公司（NCE Power Semiconductor)是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，专业从事各种大功率半导体器件、Trench-MOSFET、与功率集成器件设计、生产和销售，经过多年自主研发和生产，NCE品牌MOSFET已拥有6项国家发明专利、10多项实用新型专利。应用行业包含：UPS、电源、汽车电子、LED驱动、逆变器、电动车、HID、电动工具等，客户遍布华南、华东、华中地区。
公司是中国第一家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，是江苏省重点支持的半导体大功率器件设计高新技术企业，2011年6月我司成为中国电源学会理事单位。
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联系方式
- 公司地址：
- 无锡市高浪东路999号研发大楼8楼
- 固定电话：
- 86-075529080881 未核实，仅供参考
- 销售支持：
- 王敏
- 经理手机：
- 13510096050 未核实，仅供参考，删除号码
- 电子邮件：
- wujianwei_75@yahoo.com.cn
- 邮政编码：
- 214000
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工商信息和基本资料
无锡新洁能功率半导体有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 张燕芳 | 87.7500% | 人民币1755万元 |
| 朱袁正 | 11.2500% | 人民币225万元 |
| 叶鹏 | 1.00% | 人民币20万元 |
无锡新洁能功率半导体有限公司的领导人员
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 张燕芳 | 董事 |
| 叶鹏 | 董事 |
| 朱袁正 | 总经理 |
| 陆虹 | 董事 |
| 严秋月 | 监事 |
| 朱袁正 | 董事长 |
无锡新洁能功率半导体有限公司的专利证书
| CN102263133B | 发明授权 | 2012-11-07 | 低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光;丁磊;叶鹏 |
| CN101771083A | 发明公布 | 2010-07-07 | 一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;冷德武;叶鹏;丁磊 |
| CN101807574B | 发明授权 | 2012-02-29 | 一种沟槽型功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 |
| CN202473930U | 实用新型 | 2012-10-03 | 一种具有低导通饱和压降的IGBT | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏 |
| CN101853854A | 发明公布 | 2010-10-06 | 一种改进型终端结构的沟槽功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;冷德武;叶鹏;丁磊 |
| CN102437188A | 发明公布 | 2012-05-02 | 功率MOSFET器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏 |
| CN101800252A | 发明公布 | 2010-08-11 | 沟槽型肖特基势垒整流器及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 |
| CN102623504A | 发明公布 | 2012-08-01 | 具有新型终端结构的超结半导体器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;李宗青;叶鹏 |
| CN102005475B | 发明授权 | 2012-07-25 | 具有改进型终端的IGBT及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;丁磊;叶鹏;胡永刚 |
| CN101807574A | 发明公布 | 2010-08-18 | 一种沟槽型功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 |
| CN201708155U | 实用新型 | 2011-01-12 | 一种改进型终端结构的沟槽功率MOS器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;冷德武;叶鹏;丁磊 |
| CN102544107A | 发明公布 | 2012-07-04 | 一种改进型终端结构的功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光;丁磊 |
| CN101752375B | 发明授权 | 2011-06-22 | 一种具有改进型终端保护结构的沟槽型功率MOS器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏 |
| CN101752423B | 发明授权 | 2011-05-11 | 沟槽型大功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 |
| CN202534649U | 实用新型 | 2012-11-14 | 提高截止效果的沟槽型功率MOS器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;秦旭光;丁磊 |
| CN201629336U | 实用新型 | 2010-11-10 | 沟槽型肖特基势垒整流器 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 |
| CN201829501U | 实用新型 | 2011-05-11 | 一种超势垒半导体整流器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;丁磊;叶鹏;程月东 |
| CN101752423A | 发明公布 | 2010-06-23 | 沟槽型大功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 |
| CN202042487U | 实用新型 | 2011-11-16 | 一种具有超结结构的半导体器件 | 基本电气元件 | 朱袁正;李宗青;叶鹏 |
| CN101834209A | 发明公布 | 2010-09-15 | 一种沟槽功率MOS器件及其制造方法 | 基本电气元件 | 朱袁正;冷德武;叶鹏;丁磊 |