峨嵋半导体材料研究所，办公室地址位于四川省重要工业城市乐山，峨眉山市符北路88号，我单位主要提供半导体材料、高纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。
相关产品
联系方式
- 单位地址：
- 峨眉山市符北路88号 -
- 固定电话：
- 0833-5485303 未核实，仅供参考
- 联系人：
- 叶李强
- 手机号码：
- 未提供
- 电子邮件：
- dqeban@163.com
- 邮政编码：
- 614200
- 地区编码：
- 511181
其他联系方式
| 座机号码 | 0833-6176590 |
| 电子邮箱 | hpm_739@163.com |
| 电子邮箱 | dqeban@163.com |
| 座机号码 | 0833-5485303 |
工商信息和基本资料
| 法人名称： | 峨嵋半导体材料研究所 |
| 简称： | 峨嵋半导体材料研究所 |
| 主要经营产品： | 半导体硅材料，高纯金属材料，化合物半导体材料，试制研究 |
| 经营范围： | 半导体材料、高（超）纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） |
| 营业执照号码： | 9151118162110104XB |
| 发证机关： | 峨眉山市市场监督管理局 |
| 核准日期： | 2016-01-25 |
| 经营期限： | 10年 |
| 经营状态： | 存续 |
| 成立时间： | 1999年10月10日 |
| 注册资本： | 7000万 (万元) |
| 所属分类： | 工程和技术研究与试验发展 |
| 所属城市： | 乐山企业网 峨眉山市 |
| 类型： | 单位 |
| 顺企编码： | 7337529 |
峨嵋半导体材料研究所的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 中国东方电气集团有限公司 | 100% | 人民币7000万元 |
峨嵋半导体材料研究所的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 法定代表人变更 | 肖毅 | 袁万彬 | 2020-09-25 |
| 联络员备案 | 吕启宁 备案手机： （网上办理） | 王路平 备案手机： | 2020-05-06 |
| 联络员备案 | 吕启宁 备案手机： （网上办理） | 吕启宁 备案手机： | 2020-05-06 |
| 法定代表人变更 | 袁万彬 | 李景阳 | 2020-03-31 |
| 章程备案 | 2018-06-19 | 无 | 2018-07-17 |
| 法定代表人变更 | 李景阳 | 谢三太 | 2017-12-07 |
| 联络员备案 | 王路平 备案手机：1354682 | 王路平 备案手机：1354682 | 2017-09-01 |
| 主管部门（出资人）变动备案 | 中国东方电气集团有限公司 出资 7000万人民币; | 中国东方电气集团有限公司 出资 5000万人民币; | 2017-09-01 |
| 经营范围变更 | 半导体材料、高（超）纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） | 半导体材料、高（超）纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） | 2017-09-01 |
| 法定代表人变更 | 谢三太 | 叶李强 | 2017-09-01 |
| 章程备案 | 章程备案 | - | 2016-01-25 |
| 章程备案 | 章程备案 | 2016-01-25 | |
| 负责人变更 | 姓名:叶李强,证件类型:居民身份证,证件号码:***** | 姓名:王小强,证件类型:居民身份证,证件号码:***** | 2015-12-08 |
| 联络人员备案 | 姓名：王路平;证件类型：中华人民共和国居民身份证;证件号码：*****;联络人联系电话：135****4682;联络人移动电话：135****4682;联络人电子邮件：emlswlp@.QQ.com; | 姓名：王路平;证件类型：;证件号码：*****;联络人联系电话：135****4682;联络人移动电话：135****4682;联络人电子邮件：; | 2015-12-08 |
| 法定代表人变更 | 姓名:叶李强,证件类型:居民身份证, | 姓名:王小强,证件类型:居民身份证, | 2015-12-08 |
| 联络人员备案 | 姓名：王路平; 证件类型：中华人民共和国居民身份证; 证件号码：; 联络人联系电话：1354682; 联络人移动电话：1354682; 联络人电子邮件：emlswlp@.QQ.com; | 姓名：王路平; 证件类型：; 证件号码：; 联络人联系电话：1354682; 联络人移动电话：1354682; 联络人电子邮件：; | 2015-12-08 |
| 负责人变更 | 姓名:叶李强,证件类型:居民身份证, | 姓名:王小强,证件类型:居民身份证, | 2015-12-08 |
| 注册资本变更 | 注册资本（金）:7000万元（ + 40% ） | 注册资本（金）:5000万元 | 2015-09-21 |
| 注册资本变更 | 注册资本(金):7000万元 | 注册资本(金):5000万元 | 2015-09-21 |
| 注册资本(金)变更(万元) | 注册资本(金):5000 | 注册资本(金):2300 | 2014-09-30 |
| 出资额变更 | 投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:5000 | 投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:2300 | 2014-09-30 |
| 注册资本金变更 | 注册资本（金）:5000（ + 117.3913% ） | 注册资本（金）:2300 | 2014-09-30 |
| 注册资本金变更万元 | 注册资本（金）:5000（ + 117.3913% ） | 注册资本（金）:2300 | 2014-09-30 |
| 注册资本金变更 | 注册资本（金）:5000（ + 117.3913% ） | 注册资本（金）:2300 | 2014-09-29 |
| 注册资本金变更万元 | 注册资本（金）:5000（ + 117.3913% ） | 注册资本（金）:2300 | 2014-09-29 |
| 注册资本(金)变更(万元) | 注册资本(金):5000 | 注册资本(金):2300 | 2014-09-29 |
| 出资额变更 | 投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:5000 | 投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:2300 | 2014-09-29 |
| 投资者名称(姓名)变更 | 投资者名称(姓名):中国东方电气集团有限公司 | 投资者名称(姓名):峨嵋半导体材料研究所 | 2013-12-23 |
| 其他事项备案 | 投资者名称（姓名）:中国东方电气集团有限公司 | 投资者名称（姓名）:峨嵋半导体材料研究所 | 2013-12-23 |
| 主管部门（出资人）变动备案 | 一般经营项目:半导体材料 [新增] 高（超）纯金属及其化合物 [新增] 机械设备的研究 [新增] 试制 [新增] 销售 [新增] 技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备 [新增] 零配件 [新增] 原材料及进口业务。 [新增] | 一般经营项目:高（超）纯金属 [退出] 半导体材料及化合物的研究 [退出] 试制。 [退出] | 2013-10-11 |
| 经营范围变更 | 经营范围及方式:半导体材料、高（超）纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。 | 经营范围及方式:高（超）纯金属、半导体材料及化合物的研究、试制。 | 2013-10-11 |
| 一般经营项目变更 | 一般经营项目:半导体材料、高（超）纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。 | 一般经营项目:高（超）纯金属、半导体材料及化合物的研究、试制。 | 2013-10-11 |
| 法定代表人变更 | 王小强 | 吴贤富 | 2013-06-06 |
| 法定代表人变更 | 吴贤富 | 胡蕴成 | 2008-01-21 |
峨嵋半导体材料研究所的专利证书
| CN101787559B | 发明授权 | 2012-07-04 | 一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置 | 晶体生长 | 蒋娜;邓良平;程宇;朱铭;谢江帆 |
| CN102992286A | 发明公布 | 2013-03-27 | 高纯磷化锌的制备方法 | 无机化学 | 段榆忠;詹科;华鹏 |
| CN201785199U | 实用新型 | 2011-04-06 | 一种多晶硅氢气气氛下还原炉的电路 | 陈强;赵仕明;殷沛光;胡乐沙;翟贵林;雷建明 | |
| CN101928841B | 发明授权 | 2011-10-26 | 一种超纯铅的区熔制备工艺 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 | 薛良忠;胡四立 |
| CN102828204B | 发明授权 | 2015-02-11 | 电解法制备电极用针状银的方法 | 詹科;种娜;陈国忠;杨卫东 | |
| CN101787559A | 发明公布 | 2010-07-28 | 一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置 | 晶体生长 | 蒋娜;邓良平;程宇;朱铭;谢江帆 |
| CN101845667A | 发明公布 | 2010-09-29 | 一种高阻硅单晶的制备方法 | 晶体生长 | 蒋娜;邓良平;程宇 |
| CN101928841A | 发明公布 | 2010-12-29 | 一种超纯铅的区熔制备工艺 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 | 薛良忠;胡四立 |
| CN101525764B | 发明授权 | 2010-12-08 | 一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法 | 晶体生长 | 吴贤富;邓良平;丁国江;万金平;阮光玉;袁小武;徐杰;王洪亮;张学东 |
| CN201785200U | 实用新型 | 2011-04-06 | 多晶硅还原炉进料喷嘴 | 无机化学 | 王勃;邱健源;龙兴文;陈强 |
| CN201694843U | 实用新型 | 2011-01-05 | 一种黄磷氯化无水进料装置 | 无机化学 | 李晓铭 |
| CN102899712B | 发明授权 | 2015-03-04 | 超高纯砷单晶体片的制备方法 | 晶体生长 | 陈国忠;杨卫东 |
| CN102992286B | 发明授权 | 2014-08-06 | 高纯磷化锌的制备方法 | 无机化学 | 段榆忠;詹科;华鹏 |
| CN101798704B | 发明授权 | 2012-05-23 | 18英寸热场生长Φ8〞太阳能级直拉硅单晶工艺 | 晶体生长 | 谢江帆;吴雪霆;徐杰;张俊;常宏伟;陈军;陈家红;黄建平 |
| CN101863475A | 发明公布 | 2010-10-20 | 多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法 | 陈强;赵仕明;殷沛光;胡乐沙;翟贵林;雷建明 | |
| CN101863475B | 发明授权 | 2012-05-23 | 多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法 | 陈强;赵仕明;殷沛光;胡乐沙;翟贵林;雷建明 | |
| CN104355304B | 发明授权 | 2016-02-24 | 一种5N高纯碳粉制备工艺 | 无机化学 | 詹科;曹昌威;雷聪;种娜;杨旭 |
| CN105060336A | 发明公布 | 2015-11-18 | 硫化镉气相合成装置 | 无机化学 | 曹昌威;詹科;张程;种娜;杨旭;雷聪 |
| CN104355304A | 发明公布 | 2015-02-18 | 一种5N高纯碳粉制备工艺 | 无机化学 | 詹科;曹昌威;雷聪;种娜;杨旭 |
| CN101798704A | 发明公布 | 2010-08-11 | 18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺 | 晶体生长 | 谢江帆;吴雪霆;徐杰;张俊;常宏伟;陈军;陈家红;黄建平 |
峨嵋半导体材料研究所投资的公司
| 投资企业 | 法人代表 | 地址 | 出资比例 |
|---|---|---|---|
| 峨眉山市峨半高纯材料有限公司 | 詹科 | 峨眉山市绥山镇符北路88号 | 100% |
| 峨眉山市峨半半导体材料有限公司 | 万金平 | 峨眉山市绥山镇符北路88号 | 100% |
| 峨眉山市峨半机械制造有限公司 | 江燕 | 峨眉山市绥山镇符北路88号 | 100% |
| 峨眉山嘉美高纯材料有限公司 | 许修敏 | 峨眉山市绥山镇符北路88号 |
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