鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。
公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。
公司主营业务
微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统
化合物半导体衬底材料和外延片
|化合物半导体系列
氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等
|物理气相沉积(PVD)系列
磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合
|化学气相沉积(CVD)系列
PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD
|超高真空系列
MBE分子束外延设备(科研型、生产型)、超高真空磁控溅射外延设备(10-8Pa)
|其它
ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备
|团簇式设备系列
太阳能薄膜电池设备:PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手
OLED中试设备:热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室
综合薄膜制备和器件制造实验平台:以内置真空机械手的样品传递室为中心(配4~8个进出口),配置各真空工艺室
|技术服务
非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计
承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新
本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训
团队部分业绩分布
完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。
设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。
设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。
设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。
设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。
设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。
设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。
设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。
设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。
团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累
2001年 与南昌大学合作
设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。
2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作
设计制造了di*yi台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。
2006年 与中国科技大学合作
设计超高温CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生长。
2007年 与兰州大学物理学院合作
设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。
2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作
设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。
2017年
-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。
-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。
2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。
2021年 MBE生产型设计。
2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。
2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。
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联系方式
- 公司地址:
- 深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼304(注册地址)
- 固定电话:
- (0755)
- 经理:
- 戴小姐
- 戴小姐:
- 13632750017
- 电子邮件:
- sales@hitsemi.com
- 邮政编码:
- 518000
- 地区编码:
- 440300
- 顺企®采购:
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工商信息和基本资料
法人名称: | 鹏城半导体技术(深圳)有限公司 |
简称: | 鹏城半导体技术 |
主要经营产品: | PVD镀膜设备,真空镀膜,磁控溅射,分子束外延MBE,金刚石涂层,物理气相沉积(PVD),化学气相沉积(CVD) |
经营范围: | 一般经营项目是:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;新材料技术研发;新材料技术推广服务;真空镀膜加工;泵及真空设备制造;泵及真空设备销售;电子真空器件制造;电子真空器件销售;半导体器件专用设备制造;半导体器件专用设备销售;半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;机械设备租赁;软件开发;工业设计服务;教育咨询服务(不含涉许可审批的教育培训活动);会议及展览服务;广告设计、代理;广告制作;仪器仪表修理;化工产品销售(不含许可类化工产品);新型金属功能材料销售;仪器仪表销售;电子产品销售;通讯设备销售。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动),许可经营项目是:互联网信息服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准) |
营业执照号码: | 91440300MA5H0RXA7M |
发证机关: | 南山局 |
经营状态: | 存续 |
注册资本: | 1085 (万元) |
公司官网: | http://www.hitsemi.com |
所属分类: | 电镀设备公司 |
所属城市: | 深圳企业网 南山区 南山区桃源 |
顺企编码: | 106417234 |
鹏城半导体技术(深圳)有限公司的股东
股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
---|---|---|
深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) | 810(-) | |
深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) | 100(-) | |
深圳国华腾越创新投资基金企业(有限合伙) | 85.5427(-) | |
吴向方 | 45(-) | |
赵维巍 | 45(-) |
鹏城半导体技术(深圳)有限公司的工商变更记录
变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
---|---|---|---|
注册资本 | 1085.5427 人民币( + 24101% ) | 1063.8298 人民币 | 2023-04-04 |
章程修正案 | - | - | 2023-04-04 |
投资人 | 赵维巍 45(万元)4.145391% 吴向方 45(万元)4.145391% 深圳国华腾越创新投资基金企业(有限合伙) 85.5427(万元)7.880178% 深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)74.617055% 深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)9.211982% | 赵维巍 45(万元)4.23% 吴向方 45(万元)4.23% 深圳国华腾越创新投资基金企业(有限合伙) 63.8298(万元)6% 深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)76.14% 深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)9.40% | 2023-04-04 |
章程或章程修正案通过日期 | 2022-06-01 | 2022-11-14 | 2023-04-04 |
章程修正案 | - | - | 2022-11-15 |
地址 | 深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼304 | 深圳市光明区玉塘街道田寮社区光侨路高科创新中心三层339 | 2022-11-15 |
章程或章程修正案通过日期 | 2022-11-14 | 2022-03-10 | 2022-11-15 |
投资人 | 赵维巍 45(万元)4.23%吴向方 45(万元)4.23%深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)9.40%深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)76.14%深圳国华腾越创新投资基金企业(有限合伙) 63.8298(万元)6% | 赵维巍 45(万元)4.50%吴向方 45(万元)4.50%深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)10%深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)81% | 2022-05-30 |
章程修正案 | - | - | 2022-05-30 |
章程或章程修正案通过日期 | 2022-03-10 | 2022-01-19 | 2022-05-30 |
注册资本 | 1063.8298 人民币( + 6.38298% ) | 1000 人民币 | 2022-05-30 |
投资人 | 77854062" target="_blank">深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)76.14% 赵维巍 45(万元)4.23% 吴向方 45(万元)4.23% 深圳国华腾越创新投资基金企业(有限合伙) 63.8298(万元)6% 33935140" target="_blank">深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)9.40% | 33935140" target="_blank">深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)10% 赵维巍 45(万元)4.50% 吴向方 45(万元)4.50% 77854062" target="_blank">深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)81% | 2022-05-30 |
投资人 | 吴向方 45(万元)4.50%赵维巍 45(万元)4.50%深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)10%深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)81% | 吴向方 150(万元)15%杨威 210(万元)21%赵维巍 150(万元)15%刘军 220(万元)22%北京琨腾科技有限公司 270(万元)27% | 2022-02-28 |
章程或章程修正案通过日期 | 2022-01-19 | 2021-10-20 | 2022-02-28 |
股权和公证书 | - | - | 2022-02-28 |
投资人 | 吴向方 45(万元)4.50%赵维巍 45(万元)4.50%="https://www.tianyancha.com/company/5233935140" target="_blank">深圳市赢时利半导体咨询合伙企业(有限合伙) 100(万元)10%5277854062" target="_blank">深圳市赢时利半导体合伙企业(有限合伙) 810(万元)81% | 吴向方 150(万元)15%杨威 210(万元)21%赵维巍 150(万元)15% = "https://www.tianyancha.com/human/2352486670-c5171939280" target = "_blank">刘军 220(万元)22%3082659703" target="_blank">北京琨腾科技有限公司 270(万元)27% | 2022-02-28 |
地址 | 深圳市光明区玉塘街道田寮社区光侨路高科创新中心三层339 | 深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼835 | 2022-02-28 |
章程或章程修正案通过日期 | 2021-10-20 | - | 2021-10-29 |
名称 | 鹏城半导体技术(深圳)有限公司 | 哈深半导体技术(深圳)有限公司 | 2021-10-29 |
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