上海磁宇信息科技有限公司是一家致力于高端研发、制造生产，具有国际先进技术的新型磁性随机存储器（MRAM）-通用记忆芯片的高科技集成电路企业，由美国硅谷磁性存储器的创业团队回国创立，团队成员具有几十年的海外成功创业经验，均是国际磁纳米器件制造专家。?磁宇为国内第一家MRAM产品研发制造公司，拥有国内唯一的完整PSTT-MRAM材料薄膜制造设备和测试设备，及在建中12吋专用芯片制造的中试线，将用于第三和四代技术的MRAM记忆芯片的开发及量产。
相关产品
联系方式
- 公司地址：
- 上海市嘉定工业区兴顺路558号2幢2层
- 固定电话：
- 021-69951202 未核实，仅供参考
- 经理：
- 郭一民（GUO YIMIN）
- 手机号码：
- 未提供
- 电子邮件：
- ling_shen@cymram.com
- 邮政编码：
- 200000
- 顺企®采购：
- 请卖家联系我
其他联系方式
| 电子邮箱 | ling_shen@cymram.com |
| 座机号码 | 021-69951202 |
工商信息和基本资料
| 法人名称： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 简称： | 磁宇信息 |
| 主要经营产品： | 未提供 |
| 经营范围： | 设计、开发、测试集成电路，研发电子元器件、电子产品、电子系统集成、电子软件及辅助设备（除计算机信息系统安全专用产品），销售自产产品，上述产品及其相关商品的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外），并提供相关的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务。（不涉及国营贸易管理商品；涉及配额、许可证管理商品的，按照... |
| 营业执照号码： | 310000400736229 |
| 发证机关： | 上海市市场监督管理局 |
| 经营状态： | 存续 |
| 成立时间： | 2014年05月08日 |
| 职员人数： | 20人 |
| 注册资本： | 8538.6万人民币 (万元) |
| 所属分类： | 专业技术服务业 » 嘉定区专业技术服务业 |
| 所属城市： | 上海企业网 » 嘉定区 » 嘉定区嘉定工业区 |
| 类型： | 有限责任公司(中外合资) |
| 顺企编码： | 54392367 |
上海磁宇信息科技有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| T3MEMORY, Inc. | 48.00% | 人民币3659.400000万元 |
| 常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙） | 14.00% | 人民币1067.325000万元 |
| 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙） | 14.00% | 人民币1067.325000万元 |
| 上海远涧投资合伙企业（有限合伙） | 8.00% | 人民币609.900000万元 |
| 深圳市外滩科技开发有限公司 | 6.00% | 人民币457.425000万元 |
| 上海浦东新星纽士达创业投资有限公司 | 6.00% | 人民币457.425000万元 |
| 上海新微技术研发中心有限公司 | 4.00% | 人民币304.950000万元 |
上海磁宇信息科技有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 投资人（股权）变更 | 常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海远涧投资合伙企业（有限合伙）; 上海浦东新星纽士达创业投资有限公司; 上海新微技术研发中心有限公司; T3MEMORY, Inc.; 江阴华西村投资有限公司 | 上海新微技术研发中心有限公司; 深圳市外滩科技开发有限公司; [退出] T3MEMORY, Inc.; 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海浦东新星纽士达创业投资有限公司; 常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 江阴华西村投资有限公司; 上海远涧投资合伙企业（有限合伙） | 2019-07-15 |
| 章程修正案备案 | 2019-03-12 章程修正案 | 2017-10-14章程备案 | 2019-07-15 |
| 工商登记联络员备案 | 沈令 | 叶胤 | 2018-11-21 |
| 董事备案 | 肖荣福 Xiong Peter Quan [新增] 潘建岳 王宏宇 苏华 陈峻 郭一民（GUO YIMIN） XIAO CHARLES YANG （杨潇） WANG JIANSHI（王践识） | XIAO CHARLES YANG （杨潇） 肖荣福 李峰 [退出] 陈峻 潘建岳 WANG JIANSHI（王践识） 苏华 王宏宇 郭一民（GUO YIMIN） | 2018-11-21 |
| 监事备案 | 吴渊 [新增] 方浩 | 方浩 陈华 [退出] | 2018-06-21 |
| 章程备案 | 2017-10-14章程备案 | 2017-08-01章程备案 | 2017-12-20 |
| 注册资本金变更 | 10910.3900万人民币（ + 27.77727% ） | 8538.6000万人民币 | 2017-12-20 |
| 董事备案 | 李峰 陈峻 苏华 郭一民（GUO YIMIN） WANG JIANSHI（王践识） [新增] XIAO CHARLES YANG （杨潇） 潘建岳 肖荣福 王宏宇 [新增] | XIAO CHARLES YANG （杨潇） 肖荣福 陈峻 潘建岳 苏华 李峰 郭一民（GUO YIMIN） | 2017-12-20 |
| 投资人（股权）变更 | 深圳市外滩科技开发有限公司; 上海新微技术研发中心有限公司; 常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; T3MEMORY, Inc.; 上海远涧投资合伙企业（有限合伙）; 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海浦东新星纽士达创业投资有限公司; 江阴华西村投资有限公司 [新增] | 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海远涧投资合伙企业（有限合伙）; 常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海新微技术研发中心有限公司; T3MEMORY, Inc.; 深圳市外滩科技开发有限公司; 上海浦东新星纽士达创业投资有限公司 | 2017-12-20 |
| 章程备案 | 2017-08-01章程备案 | 2016-08-16章程备案 | 2017-08-07 |
| 注册资本金变更 | 8538.6000万人民币（ + 12% ） | 7623.7500万人民币 | 2017-08-07 |
| 董事备案 | 郭一民（GUO YIMIN） 李峰 [新增] 陈峻 苏华 XIAO CHARLES YANG （杨潇） 肖荣福 潘建岳 | XIAO CHARLES YANG （杨潇） 苏华 肖荣福 郭一民（GUO YIMIN） 陈峻 潘建岳 武平 [退出] | 2016-10-26 |
| 章程备案 | 2016-08-16章程备案 | 无 | 2016-10-26 |
| 投资人（股权）变更 | T3MEMORY, Inc.; 上海新微技术研发中心有限公司; 上海浦东新星纽士达创业投资有限公司; 深圳市外滩科技开发有限公司; 常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海远涧投资合伙企业（有限合伙）; [新增] 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙） | 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; T3MEMORY, Inc.; 上海浦东新星纽士达创业投资有限公司; 常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）; 上海嘉定创业投资管理有限公司; [退出] 深圳市外滩科技开发有限公司; 上海新微技术研发中心有限公司 | 2016-10-26 |
| 经营范围变更 | 设计、开发、测试集成电路，研发电子元器件、电子产品、电子系统集成、电子软件及辅助设备（除计算机信息系统安全专用产品），销售自产产品，上述产品及其相关商品的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外），并提供相关的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务。（不涉及国营贸易管理商品；涉及配额、许可证管理商品的，按照国家有关规定办理申请）【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 | 设计新型磁性随机存储器，销售本公司自产产品并提供相关的技术咨询、技术转让、技术服务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 | 2016-10-26 |
| 投资人(股权)变更 | T3MEMORY, Inc.;上海新微技术研发中心有限公司;上海浦东新星纽士达创业投资有限公司;深圳市外滩科技开发有限公司;常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）;上海远涧投资合伙企业（有限合伙）;上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙） | 上海武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）;T3MEMORY, Inc.;上海浦东新星纽士达创业投资有限公司;常州武岳峰创业投资合伙企业（有限合伙）;上海嘉定创业投资管理有限公司;深圳市外滩科技开发有限公司;上海新微技术研发中心有限公司 | 2016-10-26 |
| 董事备案 | 郭一民（GUO YIMIN）;李峰;陈峻;苏华;XIAO CHARLES YANG （杨潇）;肖荣福;潘建岳 | XIAO CHARLES YANG （杨潇）;苏华;肖荣福;郭一民（GUO YIMIN）;陈峻;潘建岳;武平 | 2016-10-26 |
| 董事备案 | 肖荣福;武平;郭一民（GUO YIMIN）;陈峻;苏华;潘建岳;XIAO CHARLES YANG （杨潇） | 潘建岳;武平;郭一民（GUO YIMIN）;王曦;肖荣福;苏华;陈峻 | 2015-03-10 |
| 董事备案 | 肖荣福 武平 郭一民（GUO YIMIN） 陈峻 苏华 潘建岳 XIAO CHARLES YANG （杨潇） [新增] | 潘建岳 武平 郭一民（GUO YIMIN） 王曦 [退出] 肖荣福 苏华 陈峻 | 2015-03-10 |
| 监事备案 | 方浩 陈华 [新增] | 方浩 王明辉 [退出] | 2015-03-03 |
| 监事备案 | 方浩;陈华 | 方浩;王明辉 | 2015-03-03 |
上海磁宇信息科技有限公司的领导人员
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| XIAO CHARLES YANG （杨潇） | 董事 |
| 李峰 | 董事 |
| 陈华 | 监事 |
| 肖荣福 | 董事 |
| 苏华 | 董事 |
| 郭一民（GUO YIMIN） | 董事 |
| 陈峻 | 董事 |
| 潘建岳 | 董事长 |
| 方浩 | 监事 |
| 郭一民（GUO YIMIN） | 总经理 |
上海磁宇信息科技有限公司的注册商标
| 图片 | 注册号 | 商标名 | 分类 | 分类ID | 状态 | 日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 16278588 | 图形 | 设计研究 | 42 | 商标注册申请受理通知书发文 | 2015-02-02 |
 | 16258050 | 图形 | 科学仪器 | 9 | 商标注册申请受理通知书发文 | 2015-01-28 |
 | 16257991 | CIYU | 科学仪器 | 9 | 商标注册申请受理通知书发文 | 2015-01-28 |
 | 16257989 | 磁宇 | 科学仪器 | 9 | 商标注册申请受理通知书发文 | 2015-01-28 |
上海磁宇信息科技有限公司的专利证书
| CN105449099A | 发明公布 | 2016-03-30 | 交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法 | 肖荣福;郭一民;陈峻 | |
| CN105632717A | 发明公布 | 2016-06-01 | 一种嵌入集成电路芯片的电感及集成电路芯片 | 基本电气元件 | 戴瑾;夏文斌 |
| CN105630697A | 发明公布 | 2016-06-01 | 一种利用MRAM存储小文件的存储结构 | 计算；推算；计数 | 戴瑾 |
| CN204481056U | 实用新型 | 2015-07-15 | 一种具有双层辅助层的磁电阻元件 | 基本电气元件 | 郭一民;陈峻;肖荣福 |
| CN105633109A | 发明公布 | 2016-06-01 | 磁性随机存储器记忆单元及其读写和抗干扰方法 | 基本电气元件 | 郭一民;陈峻;肖荣福;夏文斌;戴瑾 |
| CN204481053U | 实用新型 | 2015-07-15 | 一种垂直式磁电阻元件 | 基本电气元件 | 郭一民;陈峻;肖荣福 |
| CN204516804U | 实用新型 | 2015-07-29 | 一种具有单层优化层的磁电阻元件 | 基本电气元件 | 郭一民;陈峻;肖荣福 |
| CN105718380A | 发明公布 | 2016-06-29 | 细胞阵列计算系统 | 计算；推算；计数 | 戴瑾;郭一民;王践识 |
| CN105609129A | 发明公布 | 2016-05-25 | 一种具有替换行或列的MRAM芯片及替换、读写方法 | 信息存储 | 戴瑾 |
| CN105630406A | 发明公布 | 2016-06-01 | 利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统及编辑缓存方法 | 计算；推算；计数 | 戴瑾;郭一民 |
| CN105514262A | 发明公布 | 2016-04-20 | 交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 | 基本电气元件 | 肖荣福;郭一民;陈峻 |
| CN105630700A | 发明公布 | 2016-06-01 | 一种具有二级缓存结构的存储系统及读写方法 | 计算；推算；计数 | 戴瑾 |
| CN105608016A | 发明公布 | 2016-05-25 | DRAM与MRAM结合的固态硬盘及使用MRAM的存储卡 | 计算；推算；计数 | 戴瑾 |
| CN105630707A | 发明公布 | 2016-06-01 | 具有断电保护功能的存储设备、断电保护方法及计算系统 | 计算；推算；计数 | 戴瑾 |
| CN105630692A | 发明公布 | 2016-06-01 | 一种利用MRAM存储文件目录的文件存储系统 | 计算；推算；计数 | 戴瑾 |
| CN105632545A | 发明公布 | 2016-06-01 | 一种3D内存芯片 | 信息存储 | 戴瑾 |
| CN105718530A | 发明公布 | 2016-06-29 | 文件存储系统及其文件存储控制方法 | 计算；推算；计数 | 戴瑾 |
| CN105470275A | 发明公布 | 2016-04-06 | 交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 | 基本电气元件 | 肖荣福;郭一民;陈峻 |
| CN105405859A | 发明公布 | 2016-03-16 | 交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法 | 肖荣福;郭一民;陈峻 | |
| CN105632546A | 发明公布 | 2016-06-01 | 一种MRAM芯片及其自刷新操作方法 | 信息存储 | 郭一民;戴瑾 |
人才招聘
| 职位名称 | 月薪 | 学历要求 | 职位要求 | 发布日期 |
|---|---|---|---|---|
| 数字电路芯片设计工程师 | 3万-4万 | 本科 | 本科以上相关专业的学历 1-3年以... | 2019-09-18 |
本页是 [上海磁宇信息科技有限公司] 在顺企网上海黄页的介绍页，如果您是负责人并希望管理这家公司， 认领该企业后可以删除广告，或者信息有误需要纠正或者删除或者您是负责人并希望管理这家公司，请 [ 联系我们纠正或删除信息 ]，您认领该企业后可以获取管理权限，发布供求信息，带来咨询订单，而且页面会移除广告。