上海宝芯源功率半导体有限公司成立于2012年9月。公司总部座落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园。
依靠大量经验丰富的技术人才，公司专注于设计、生产和销售应用于电源管理，马达驱动，模拟开关，音频功放等领域高性能功率半导体元器件。
公司现有成熟产品包括大功率mos器件、肖特基二极管、igbt和功率驱动ic等。我们选择Zui先进的生产线和生产工艺，应用先进而规范的设计流程，为客户提供Zui大的产品价值，和Zui稳定的产品品质。
公司把“以人为本，以科技为先导，以服务为基础”作为使命，把强化质量管理作为工作重点，力争形成生产、服务完善的管理体系。以有力的竞争，良好的服务，诚信的理念为客户创造价值，从而实现公司快速而稳定地成长。
依靠大量经验丰富的技术人才，公司专注于设计、生产和销售应用于电源管理，马达驱动，模拟开关，音频功放等领域高性能功率半导体元器件。
公司现有成熟产品包括大功率mos器件、肖特基二极管、igbt和功率驱动ic等。我们选择Zui先进的生产线和生产工艺，应用先进而规范的设计流程，为客户提供Zui大的产品价值，和Zui稳定的产品品质。
公司把“以人为本，以科技为先导，以服务为基础”作为使命，把强化质量管理作为工作重点，力争形成生产、服务完善的管理体系。以有力的竞争，良好的服务，诚信的理念为客户创造价值，从而实现公司快速而稳定地成长。
联系方式
- 公司地址：
- 中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
- 经理：
- 王凡
- 电子邮件：
- chengyc@pwcore.com
- 邮政编码：
- 201203
- 顺企®采购：
- 请卖家联系我在线采购产品
其他联系方式
| 电子邮箱 | chengyc@pwcore.com |
| 座机号码 | 021-60751902 |
工商信息和基本资料
- 法人名称：
- 上海宝芯源功率半导体有限公司
- 简称：
- 宝芯源功率半导体
- 主要经营产品：
- MOS , IGBT , IC , 肖特基
- 经营范围：
- 功率半导体芯片的研发、销售及相关领域内的技术咨询、技术转让、技术服务，机械设备及配件、金属材料及制品、建筑材料、五金交电、机电设备、劳防用品、电子产品、橡塑制品、办公用品、化工原料及产品（除危险化学品、监控化学品、民用爆炸物品、易制毒化学品）的销售，自有设备租赁（除金融租赁），会务服务，从事货物及...
- 营业执照号码：
- 310115002025588
- 发证机关：
- 自由贸易试验区市场监督管理局
- 法人类型：
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 经营期限：
- 永久
- 经营状态：
- 存续
- 成立时间：
- 2012年09月27日
- 注册资本：
- 人民币200 万元 (万元)
- 所属行业：
- 肖特基二极管
- 所属城市黄页：
- 上海企业网
- 顺企编码：
- 17688806
上海宝芯源功率半导体有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 程义川 | 70% | 人民币140.0万元 |
| 王凡 | 30% | 人民币60.0万元 |
上海宝芯源功率半导体有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 章程修正案备案 | 2021-06-15章程修正案 | 无 | 2021-06-21 |
| 投资人变更 | 程义川; 王凡; [新增] | 程义川; 魏炜; [退出] | 2021-06-21 |
| 投资人变更 | 程义川; 魏炜; [新增] | 黄丽娜; [退出] 程义川; | 2020-11-30 |
| 章程备案 | 2020-11-20章程备案 | 无 | 2020-11-30 |
| 章程修正案备案 | 2019-02-12章程修正案 | 无 | 2019-02-18 |
| 联络员 | 黄丽娜 | 葛媛瑾 | 2019-02-18 |
| 投资人变更 | 程义川; 黄丽娜; [新增] | 程义川; 王凡; [退出] | 2019-02-18 |
| 法定代表人变更 | 程义川 | 王凡 | 2019-02-18 |
| 章程备案 | 2016-12-12章程备案 | 2016-11-14章程备案 | 2016-12-16 |
| 监事备案 | 李建平 | 张朝阳 | 2016-12-16 |
上海宝芯源功率半导体有限公司的组织架构
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 李建平 | 监事 |
| 王凡 | 执行董事兼总经理 |
上海宝芯源功率半导体有限公司的专利证书
| CN104426359A | 发明公布 | 2015-03-18 | 一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法 | 发电、变电或配电 | 王凡 |
| CN103887240A | 发明公布 | 2014-06-25 | 一种逆导型IGBT器件的制备方法 | 基本电气元件 | 张朝阳 |
| CN103077960A | 发明公布 | 2013-05-01 | 沟槽功率器件结构及其制造方法 | 基本电气元件 | 孙效中;王凡;张朝阳;程义川 |
| CN103928318A | 发明公布 | 2014-07-16 | 一种场终止型IGBT 器件的制造方法 | 基本电气元件 | 张朝阳 |
| CN104465526A | 发明公布 | 2015-03-25 | 一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法 | 基本电气元件 | 王凡 |
| CN103077960B | 发明授权 | 2016-01-06 | 沟槽功率器件结构及其制造方法 | 基本电气元件 | 孙效中;王凡;张朝阳;程义川 |
| CN103887240B | 发明授权 | 2016-08-24 | 一种逆导型IGBT器件的制备方法 | 基本电气元件 | 张朝阳 |
| CN104183485A | 发明公布 | 2014-12-03 | 一种超级势垒整流器结构及其制作方法 | 基本电气元件 | 孙效中 |