上海硅酸盐研究所中试基地，办公室地址位于中国国际经济、金融、贸易、航运中心，魔都上海，嘉定区城北路215号，我单位主要提供化学新材料及其它器件、整机的研究、中试和生产、销售、技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让，实验装备的研制、生产，机械零件加工，机械设备维修。
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联系方式
- 单位地址：
- 嘉定区城北路215号 -
- 固定电话：
- 02169987712 未核实，仅供参考
- 联系人：
- 宋力昕
- 手机号码：
- 未提供
- 电子邮件：
- bfmaigh@mail.sic.ac.cn
- 邮政编码：
- 201800
- 地区编码：
- 310114
其他联系方式
| 电子邮箱 | bfmaigh@mail.sic.ac.cn |
| 座机号码 | 021-69906001 |
| 座机号码 | 021-69987712 |
工商信息和基本资料
| 法人名称： | 上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 简称： | 硅酸盐研究所中试基地 |
| 主要经营产品： | 化学新材料及其它器件、整机的研究、中试和生产、销售、技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让。实验装备的研制、生产，机械零件加工，机械设备维修。经营方式：研究，中试，生产，销售． |
| 经营范围： | 化学新材料及其它器件、整机的研究、中试和生产、销售、技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让，实验装备的研制、生产，机械零件加工，机械设备维修。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 |
| 营业执照号码： | 9131011413364917XL |
| 发证机关： | 嘉定区市场监督管理局 |
| 核准日期： | 1993-03-01 |
| 经营状态： | 存续 |
| 成立时间： | 1993年03月01日 |
| 注册资本： | 300.000000万人民币 (万元) |
| 所属分类： | 研究与试验发展 » 嘉定区研究与试验发展 |
| 所属城市： | 上海企业网 » 嘉定区 » 嘉定区嘉定镇 |
| 类型： | 单位 |
| 顺企编码： | 17917535 |
上海硅酸盐研究所中试基地的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 100% | 人民币300万元 |
上海硅酸盐研究所中试基地的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 董事备案 | 刘宇 [新增] | - | 2021-09-22 |
| 企业类型变更 | 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资） | 全民所有制 | 2021-09-22 |
| 监事备案 | 孟锦菁 [新增] | - | 2021-09-22 |
| 法定代表人变更 | 刘宇 | 刘宇 | 2021-09-22 |
| 投资人变更 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; | 中国科学院上海硅酸盐研究所; | 2021-09-22 |
| 名称变更 | 上海上硅中试基地科技有限公司 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 2021-09-22 |
| 章程备案 | 2021-08-25章程备案 | 无 | 2021-09-22 |
| 注册资本变更 | 300万人民币 | 300万人民币 | 2021-09-22 |
| 法定代表人变更 | 刘宇 | 王东 | 2021-02-09 |
| 法定代表人变更 | 王东 | 宋力昕 | 2019-01-03 |
上海硅酸盐研究所中试基地的专利证书
| CN103114336A | 发明公布 | 2013-05-22 | 碳化硅晶片的退火方法 | 晶体生长 | 姜涛;严成锋;孔海宽;刘熙;陈建军;高攀;忻隽;肖兵;施尔畏 |
| CN103506928A | 发明公布 | 2014-01-15 | 超硬半导体材料抛光方法 | 黄维;王乐星;庄击勇;陈辉;杨建华;施尔畏 | |
| CN103374750A | 发明公布 | 2013-10-30 | 一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法 | 晶体生长 | 孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 |
| CN101597797A | 发明公布 | 2009-12-09 | 掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法 | 潘尚可;杨帆;任国浩;丁栋舟;陆晟;张卫东 | |
| CN101812723B | 发明授权 | 2012-04-11 | 基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置 | 晶体生长 | 陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 |
| CN102514109A | 发明公布 | 2012-06-27 | 碳化硅晶体的定型定向的切割方法 | 加工水泥、黏土或石料 | 陈辉;庄击勇;王乐星;黄维;杨建华;施尔畏 |
| CN103602942A | 发明公布 | 2014-02-26 | 耐高温涂层涂覆坩埚表面保护贵金属坩埚的方法 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制 | 吴承;戴灵恩;唐佳;陆晟;丁栋舟;毛日华;杨建华 |
| CN105526552A | 发明公布 | 2016-04-27 | 染料敏化太阳能电池路灯 | 照明 | 沈沪江;陈薪羽;徐权;刘岩 |
| CN103374750B | 发明授权 | 2015-07-15 | 一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法 | 晶体生长 | 孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 |
| CN106480502A | 发明公布 | 2017-03-08 | 一种黄长石结构高温压电晶体及其制备方法 | 晶体生长 | 曹硕梁;郑燕青;涂小牛;熊开南;李亚乔;蒋博翰;施尔畏 |
| CN103911662B | 发明授权 | 2016-08-03 | 硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品 | 晶体生长 | 涂小牛;郑燕青;孔海宽;杨建华;施尔畏 |
| CN102787350A | 发明公布 | 2012-11-21 | 下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法 | 晶体生长 | 王绍华;倪海洪;周里华;陈俊锋;刘光煜;赵鹏;袁兰英;周学农;张健;宋桂兰;齐雪君;李赟;陆裕贵;杜勇;李文朋;李敏;徐力;孙世允;刘训龙 |
| CN103508454A | 发明公布 | 2014-01-15 | 一种高纯碳化硅原料的制备方法 | 无机化学 | 陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 |
| CN101851783B | 发明授权 | 2012-08-08 | 一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 | 葛增伟;朱勇;吴国庆;殷学技;唐林耀;赵寒冰;顾李臻 | |
| CN103230894A | 发明公布 | 2013-08-07 | 锗酸铋晶片的清洗工艺 | 清洁 | 卓世异;黄维;王乐星;庄击勇;陈辉 |
| CN104975345A | 发明公布 | 2015-10-14 | 一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法 | 晶体生长 | 岳世海;朱勇;王威;殷学技;徐海芳;潘裕柏;葛增伟 |
| CN104695017A | 发明公布 | 2015-06-10 | 一种硅酸铝镓铌钙压电晶体及其制备方法 | 晶体生长 | 熊开南;郑燕青;涂小牛;林全明;李亚乔;施尔畏 |
| CN101851783A | 发明公布 | 2010-10-06 | 一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 | 葛增伟;朱勇;吴国庆;殷学技;唐林耀;赵寒冰;顾李臻 | |
| CN103132147A | 发明公布 | 2013-06-05 | 非线性光学晶体及其制备方法 | 涂一帆;涂小牛;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 | |
| CN101597796B | 发明授权 | 2012-10-03 | 硼酸钆锂晶体的晶体生长方法 | 晶体生长 | 潘尚可;杨帆;任国浩;丁栋舟;陆晟;张卫东 |
上海硅酸盐研究所中试基地投资的公司
| 投资企业 | 法人代表 | 地址 | 出资比例 |
|---|---|---|---|
| 上海伟凡科技有限公司 | 李承恩 | 上海市长宁区江苏路街道延安西路1521弄11号 | 20.0% |
| 上海锐盛新材料科技有限公司 | 施剑林 | 汶水东路351号三号库 | 72.500% |
| 上海锐盛新材料科技有限公司 | 施剑林 | 汶水东路351号三号库 | 72.500% |
上海硅酸盐研究所中试基地的分公司
| 分公司名称 | 地址 | 成立时间 |
|---|---|---|
| 上海硅酸盐研究所中试基地专家招待所 | 上海市嘉定区北门外 |
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