沈阳华迅真空科技有限公司

公司简介

    公司由留学归国人员和国内真空领域的专家创办。主要是以当前国际真空领域已经开始采用的新技术产品为发展方向,从事真空应用领域的设备、部件及工艺的研发生产。华迅真空科技拥有专业的真空技术、设备开发团队,他们十几年来一直自主开发、制造真空薄膜技术的应用设备和产品。并且被广泛应用在薄膜材料的研究与获得,建筑装饰行业和太阳能利用领域,得到了国内外客户的好评

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联系方式

公司地址:
沈阳市浑南新区飞云路18号115、116、121-123室
经理:
王晓光
经理手机:
15698809278 未核实,仅供参考,删除号码
电子邮件:
1303038753@qq.com
在线QQ咨询:
点击这里给我发消息
邮政编码:
110000
地区编码:
210112
传真号码:
86-24-23821289
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其他联系方式

手机号码132****8810
座机号码024-83810196
座机号码024-23812389
手机号码156****9278
电子邮箱1303038753@qq.com
QQ点击这里给我发消息
手机号码138****0828
电子邮箱165166044@qq.com
QQ点击这里给我发消息
电子邮箱fanlin8808@126.com

工商信息和基本资料

法人名称:沈阳华迅真空科技有限公司
简称:华迅真空
主要经营产品:多靶双室磁控溅射镀膜机 ; 超高真空系统部件 ; 真空烘烤系统 ; 太阳能真空集热管镀膜机
经营范围:超高真空系统、光电子薄膜开发、制造;国内一般贸易(法律法规限制的项目除外);自营和代理各类商品和技术的进出口,但国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。
营业执照号码:91210112738682001W
发证机关:沈阳市浑南区市场监督管理局
核准日期:2012-05-29
经营期限:10年
经营状态:注销
成立时间:2002年07月19日
注册资本:50 万人民币 (万元)
所属分类:半导体材料公司
所属城市:沈阳企业网 东陵区
类型:有限责任公司(自然人投资或控股)
顺企编码:10521313

沈阳华迅真空科技有限公司的股东

股东名字出资比例出资额
王晓光90%人民币45万元
许仲莲10%人民币5万元

沈阳华迅真空科技有限公司的工商变更记录

变更项目变更后变更前时间
投资人变更王晓光; 许仲莲;王晓光; 许仲莲;2012-05-29
章程备案章程-2012-05-29
期限变更2022-07-182012-07-182012-05-29
章程备案章程2012-05-29
投资人变更(包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等)1王晓光;2许仲莲;1王晓光;2许仲莲;2012-05-29
地址变更(住所地址、经营场所、驻在地址等变更)沈阳市浑南新区飞云路18号115、116、121-123室沈阳高新区浑南产业区世纪路29号2008-03-12
名称变更沈阳华迅真空科技有限公司沈阳超空科技有限责任公司2006-11-17
投资人变更王晓光; 许仲莲;王晓光; 张革; [退出] 许仲莲;2006-02-23
高级管理人员备案王晓光执行董事 许仲莲监事 [新增]王晓光执行董事2006-02-23
高级管理人员备案(董事、监事、经理等)1王晓光执行董事;2许仲莲监事;1王晓光执行董事;2006-02-23
投资人变更(包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等)1王晓光;2许仲莲;1王晓光;2张 革;3许仲莲;2006-02-23
投资人变更(包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等)1王晓光;2张 革;3许仲莲;1王晓光;2张 革;3许仲莲;2005-08-09
经营范围变更(含业务范围变更)超高真空系统、光电子薄膜开发、制造;国内一般贸易(法律法规限制的项目除外);自营和代理各类商品和技术的进出口,但国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外。超高真空系统、光电子薄膜开发、制造;国内一般贸易(法律法规限制的项目除外)。2005-08-09
投资人变更王晓光; 张革; 许仲莲;王晓光; 张革; 许仲莲;2005-08-09
投资人变更王晓光; 张革; 许仲莲; [新增]王晓光; 魏海波; [退出] 张革;2004-02-23
实收资本变更50-2004-02-23
实收资本变更502004-02-23
投资人变更(包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等)1王晓光;2张 革;3许仲莲;1王晓光;2魏海波;3张 革;2004-02-23

沈阳华迅真空科技有限公司的领导人员

名字职务
王晓光执行董事
许仲莲监事

沈阳华迅真空科技有限公司的专利证书

CN102796987A发明公布2012-11-28一种气体离子源装置对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制王晓光
CN102796987B发明授权2014-08-27一种气体离子源装置对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制王晓光
CN200985344Y实用新型2007-12-05一种用于生成化合物材料薄膜的源装置对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制王晓光
CN201121207Y实用新型2008-09-24一种大面积镀制太阳能整板集热器芯片的装置对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制魏海波;王晓光;张晶宇
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