中电华清微电子工程中心有限公司由清华控股有限公司和中国电子集团共同出资组建，注册资本7800万元。公司依托清华大学微电子研究所，致力于中国半导体产品的发展。 主要研发生产高频三极管、人体感应IC、仪器仪表IC等器件，全部产品都已批量生产，可大量供货。同时提供IC设计服务，已成功为数十个客户服务。并且代理分销国外各元器件，为客户提供完善的服务。
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联系方式
- 公司地址：
- 北京市海淀区中关村南大街6号 -
- 固定电话：
- 86-0755-28169840 未核实，仅供参考
- 经理：
- 卢明
- 经理手机：
- 13760118092 未核实，仅供参考，删除号码
- 邮政编码：
- 510800
- 传真号码：
- 86-0755-28169840
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工商信息和基本资料
| 法人名称： | 中电华清微电子工程中心有限公司 |
| 简称： | 中电华清微电子工程中心 |
| 主要经营产品： | 高频管 ; 人体感应芯片 ; 无线接收模块 ; 电表计量芯片 ; 智能卡芯片 ; 无线遥控器 ; 烟雾报警器芯片 |
| 经营范围： | |
| 营业执照号码： | 110000007869237 |
| 发证机关： | 海淀分局 |
| 核准日期： | 2011-09-26 |
| 经营期限： | 10年 |
| 经营状态： | 注销 |
| 成立时间： | 2004年12月22日 |
| 注册资本： | 7800 万元 (万元) |
| 所属分类： | 中高频放大三极管公司 » 宝安区中高频放大三极管公司 |
| 所属城市： | 深圳企业网 » 宝安区 » 宝安区龙华 |
| 类型： | 有限责任公司 |
| 顺企编码： | 11259223 |
中电华清微电子工程中心有限公司的股东
| 股东名字 | 出资比例 | 出资额 |
|---|---|---|
| 中国电子信息产业集团公司 | 51.2821% | 4000 |
| 清华控股有限公司 | 48.7179% | 3800 |
中电华清微电子工程中心有限公司的工商变更记录
| 变更项目 | 变更后 | 变更前 | 时间 |
|---|---|---|---|
| 经营范围 | 微电子工艺技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让；设计、开发、销售半导体集成电路、分立器件、特种器件及光电子产品、微电子材料、设备、电子组件与电子整机；自产产品的安装、调试、封装、维修；货物进出口、技术进出口、代理进出口。（实缴注册资本7800万元，其中实物出资2616万元，非专利技术出资1184万元） | 微电子工艺技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让；设计、开发、生产、销售半导体集成电路、分立器件、制种器件及光电子产品、微电子材料、设备、电子组件与电子整机；自产产品的安装、调试、封装、维修；货物进出口、技术进出口、代理进出口。（其中“生产半导体集成电路、分立器件、制种器件及光电子产品、微电子材料、设备、电子组件与电子整机”需要取得批准之后，方可经营；实缴注册资本7800万元，其中实物出资2616万元，非专利技术出资1184万元） | 2005-11-01 |
| 经营范围 | 微电子工艺技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让；设计、开发、生产、销售半导体集成电路、分立器件、制种器件及光电子产品、微电子材料、设备、电子组件与电子整机；自产产品的安装、调试、封装、维修；货物进出口、技术进出口、代理进出口。（其中“生产半导体集成电路、分立器件、制种器件及光电子产品、微电子材料、设备、电子组件与电子整机”需要取得批准之后，方可经营；实缴注册资本7800万元，其中实物出资2616万元，非专利技术出资1184万元） | 微电子工艺技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让；设计、开发、生产、销售半导体集成电路、分立器件、制种器件及光电子产品、微电子材料、设备、电子组件与电子整机；自产产品的安装、调试、封装、维修；货物进出口、技术进出口、代理进出口。（其中“生产半导体集成电路、分立器件、制种器件及光电子产品、微电子材料、设备、电子组件与电子整机”需要取得批准之后，方可经营；实缴注册资本7800万元，其中实物出资2616万元，非专利技术出资1184万元，未办理财产转移手续） | 2005-06-13 |
| 住所变更 | 北京市海淀区中关村南大街６号 | 北京市海淀区中关村南大街6号 | 2005-03-18 |
中电华清微电子工程中心有限公司的领导人员
| 名字 | 职务 |
|---|---|
| 周海英 | 董事 |
| 刘朋 | 监事 |
| 刘志弘 | 总经理 |
| 卢明 | 董事长 |
| 侯建国 | 其他人员 |
| 张振霞 | 监事 |
| 李福江 | 董事 |
| 马玉川 | 董事 |
| 潘立阳 | 董事 |
中电华清微电子工程中心有限公司的专利证书
| CN100533762C | 发明授权 | 2009-08-26 | 非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺 | 基本电气元件 | 王玉东;徐阳;付军;周卫;张伟;蒋志;钱佩信 |
| CN101252101A | 发明公布 | 2008-08-27 | 采用曝光场拼接技术制作超大功率智能器件的方法 | 严利人;刘志弘;周卫;徐阳 | |
| CN101140946A | 发明公布 | 2008-03-12 | 非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺 | 基本电气元件 | 王玉东;徐阳;付军;周卫;张伟;蒋志;钱佩信 |
| CN101409228A | 发明公布 | 2009-04-15 | 具有可移动热挡板的半导体片红外快速热处理腔 | 基本电气元件 | 钱佩信;林惠旺;刘志弘;刘朋;刘荣华 |
| CN100508209C | 发明授权 | 2009-07-01 | NPN型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法 | 基本电气元件 | 张伟;钱佩信;刘志弘;徐阳;熊小义;周卫;王玉东;李高庆;蒋志;许平 |
| CN100508208C | 发明授权 | 2009-07-01 | 抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺 | 基本电气元件 | 王玉东;周卫;徐阳;付军;张伟;蒋志;钱佩信 |
| CN101252101B | 发明授权 | 2010-08-11 | 采用曝光场拼接技术制作超大功率智能器件的方法 | 严利人;刘志弘;周卫;徐阳 | |
| CN101231508A | 发明公布 | 2008-07-30 | 采用时间序列分析预测－校正集成电路制造工艺控制方法 | 严利人;刘志弘;窦维治;周卫 | |
| CN101106158A | 发明公布 | 2008-01-16 | 抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺 | 基本电气元件 | 王玉东;周卫;徐阳;付军;张伟;蒋志;钱佩信 |
| CN101409228B | 发明授权 | 2010-07-28 | 具有可移动热挡板的半导体片红外快速热处理腔 | 基本电气元件 | 钱佩信;林惠旺;刘志弘;刘朋;刘荣华 |
| CN101101922A | 发明公布 | 2008-01-09 | NPN型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法 | 基本电气元件 | 张伟;钱佩信;刘志弘;徐阳;熊小义;周卫;王玉东;李高庆;蒋志;许平 |
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